|
↓ Содержание ↓
↑ Свернуть ↑
|
Взлет и падение советской микроэлектроники. Часть 1. Воспоминания.
Я проработал в НИИ молекулярной электроники в Зеленограде разработчиком технологии СБИС с 1975 по 1991 год. Изучал соответствующие науки в Московском институте электронной техники с 1969 по 1975 год в том же Зеленограде. Обучение было поставлено весьма серьезно. Уже с четвертого курса мы проходили практику на базовых предприятиях Зеленограда. Два дня в неделю на четвертом курсе, три дня на пятом и всю неделю на шестом дипломном курсе. Практику проходили в научных лабораториях НИИ под руководством опытных специалистов.
Надо сказать, что в Зеленограде тогда уже был реализован почти полностью замкнутый процесс проектирования, разработки и производства БИС.
НИИ молекулярной электроники с опытным заводом "Микрон" разрабатывало и производило БИС на биполярных транзисторах военного назначения.
НИИ точной технологии с опытным заводом "Ангстрем" производило БИС на МОП-транзисторах, в основном гражданского назначения.
НИИ материаловедения и завод "Элма" разрабатывали и производили сверхчистые материалы для микроэлектроники.
НИИ точного машиностроения выпускало оборудование для технологических процессов.
НИИ микроприборов и завод "Компонент" выпускали электронные устройства на отечественной элементной базе для военной и космической техники.
Ну а МИЭТ готовил специалистов для всех НИИ и заводов.
Короче — это была "Силиконовая долина" в миниатюре. Хотя, конечно, до размеров реальной Силиконовой долины в США Зеленограду было далеко. Как в плане финансирования, так и в плане людских ресурсов.
Когда я пришел инженером в технологическую лабораторию НИИМЭ в 1975 году, моя лаборатория занималась разработкой биполярного ОЗУ емкостью 256 бит с ЭСЛ-логикой по технологии изопланарной изоляции компонентов с минимальным размером элемента 5 мкм.
Завод Микрон уже выпускал серийно БИС серий 155 и 533 по технологии ТТЛШ военного назначения с количеством компонентов до 3 тысяч. Выпускал ОЗУ на 64 бита, ППЗУ на 256 бит и ПЗУ с масочным программированием на 1 кбит. Все с минимальным размером элемента 8 мкм.
На тот момент все выпускаемые и разрабатываемые микросхемы были аналогами скопированных штатовских микросхем
Если кто-то подумает, что передирать импортные микросхемы было легко, он сильно ошибается. Интегральная схема, она потому и интегральная, что разобрать ее на отдельные элементы и измерить каждый принципиально невозможно. Это монокристалл кремния, в котором сформированы транзисторы, диоды и пассивные элементы, с двухслойной разводкой из алюминия.
Топологам и нужно было с максимальной аккуратностью послойно скопировать топологию элементов, схемотехникам построить принципиальную электрическую схему БИС, рассчитать ее характеристики и предъявить технологам-разработчикам требования к характеристикам компонентов. Технологи должны были определить физические характеристики всех элементов транзисторной структуры БИС и разработать технологический процесс ее воспроизводства.
Все это приводило к отставанию от США примерно на 10 лет. Столько времени занимал весь цикл. Добыча образцов БИС, НИР по их анализу, технологический НИР, приборный НИР, приборный ОКР, ОКР с внедрением на заводе и вывод выхода годных изделий на промышленный уровень.
В разработках нам сильно помогало то, что на Западе значительно меньше заморочивались с секретностью, в открытой научно-технической литературе содержалась масса полезной информации. За исключением отдельных ключевых ноу-хау, конечно, до которых приходилось доходит самим.
В 1978 году изделие РУ-410 (ОЗУ-256 бит) уже вовсю выпускалось Микроном.
В 1980 году по этому же техпроцессу была разработана и освоена в производстве БИС ОЗУ — 1кбит.
В 1983 году с моим непосредственным участием в качестве заместителя главного конструктора изделия по технологии была разработана уже оригинальная изопланарная технология ППЗУ-4 кбит в логике ТТЛШ. В следующем году изделие пошло в производстве.
В 1986 году мною, независимо от зарубежных исследователей и одновременно с ними, была разработана совершенно новая технология "щелевой изоляции компонентов". По ней выпущены БИС ОЗУ-4кбит в ЭСЛ логике с минимальным размером элемента 2 мкм и быстродействием 15 нсек.
В 1988 году в производстве по этой же технологии были освоены полностью оригинальные ОЗУ-16 кбит, ППЗУ-64 кбит с интегрированным в структуру транзистора программируемым элементом.
В 1989 — 1991 годах по этой технологии разработаны и запущены в производство СБИС ОЗУ-64 кбит, ППЗУ — 256 кбит, ПЗУ-1Мбит. Все это были уже совершенно оригинальные разработки с проектной нормой 0,8 мкм.
Кроме того, по этой же технологии был разработан базовый матричный кристалл на 300 универсальных быстродействующих вентилей, с временем задержки 0,7 нсек на вентиль. Сам я уже к этому времени уже был ктн-ом, начальником лаборатории перспективной технологии НИИМЭ.
Само собой, я перечисляю только те м/сх, в разработке которых лично принимал участие. Большой коллектив НИИМЭ разрабатывал и множество других м/сх.
Коллектив НИИ больше не передирал западные, а делал исключительно оригинальные разработки. Отставание от США сократилось до 3 — 4 лет, и было связано исключительно с тем, что от западных фирм отставало производство установок проекционной фотолитографии, которое велось почему-то в ГДР на заводе "Карл-Цейс Йена". За 15 лет отставание от США сократилось в 3 раза.
И это было колоссальным достижением, учитывая, что ресурсы Силиконовой долины в США и японских фирм превосходили весь Зеленоград на порядок.
Крах наступил в 1992 году. Почти 100% разработок НИИМЭ и 100% продукции Микрона было оборонного назначения. А в этом злосчастном году, благодаря "реформам" не к ночи быть помянутых ЕБНа с Гайдаром, оборонный заказ полностью обнули. Финансирование — тоже. Для Микрона, как и для всей советской микроэлектроники наступили черные беспросветные времена.
Взлет и падение советской микроэлектроники. Часть 2. Размышления.
Почему же микроэлектроника в СССР по отношению к западной изначально оказалась в роли сильно отстающей и догоняющей? Например, в ядерной гонке СССР отстал всего на 4 года, а в ракетной вообще вырвался вперед!
Дело, как ни странно, в коммунистической идеологии. Кремлевские философы — марксисты, видимо впав уже в старческий маразм в начале 50-х годов признали кибернетику "буржуазной лженаукой", на пару с генетикой — "продажной девкой империализма", противоречащими марксистско-ленинской философии. Почти на 10 лет все исследования в этой области были запрещены.
Положение спасли военные. Физики и математики, занимавшиеся космическим и ядерным проектами, убедили военных, что без ЭВМ проводить научные и технические расчеты невозможно. Поэтому, производство элементной базы для создания ЭВМ продолжало развиваться.
В середине 50-х годов в СССР появились первые ЭВМ на лампах, а в середине 60-х годов — на транзисторах. Я сам проводил дипломные расчеты в 1974 году на ЭВМ БЭСМ-6, имевшей тактовую частоту 10 МГц.
В 1962 году в ответ на появление интегральных схем конце 50-х годов в США в появилось решение ЦК КПСС о создании в Зеленограде под Москвой "Научного центра микроэлектроники". В 60-е годы только что образованные зеленоградские НИИ создавали оригинальные гибридные и твердотельные ИМС малой степени интеграции собственной разработки. Но, в конце 60-х под давлением военных перешли на копирование западных аналогов. Затрудняюсь сказать почему. Вероятно, военных не устроили параметры или качество оригинальных ИМС. В середине 70-х я тоже влился в этот процесс.
Что мешало советской микроэлектронике идти вровень с американской?
1. Территориальная разобщенность. В "силиконовой долине" Штатов была сосредоточена львиная часть американской микроэлектроники с общим количеством рабочих мест порядка 250 тысяч. У нас же в Зеленограде разместились предприятия примерно с 40 тысячами рабочих мест. Вследствие весьма неразумного стремления развивать национальные окраины, в ЦК КПСС решили размазать микроэлектронику ровным слоем по всему СССР. У Микрона, как у головного завода, были заводы — дублеры: (только не смейтесь и не плачьте!) в Тбилиси, в Баку и в Кишиневе. Предполагалось, что после освоения новых изделий на Микроне, их производство будут передавать на дублеры. С этой задачей они справлялись плохо. Технологам из НИИМЭ приходилось постоянно мотаться туда в командировки, чтобы помогать младшим братьям по разуму исправлять технологические косяки. Зачастую, изделия с этих заводов возвращали обратно на Микрон.
Микроэлектронные НИИ и заводы располагались еще и в Риге, в Минске, в Ленинграде, в Воронеже и много еще где. Это весьма сильно затрудняло перетекание научно-технической информации между заводами, без чего технологический прогресс тормозится. Мало того, часть производств оборудования и материалов вообще разместили в странах соцлагеря! Как я уже писал, принципиально важные установки проекционной фотолитографии делали в ГДР!
2. Совершенно дурацкая гипертрофированная страсть ЦК КПСС к секретности. В первых отделах во всех НИИ сидели дубаки сталинской закалки, в штатском, но с погонами, которые знали только одно: этот материал по технологии? Значит присваиваем ему гриф "секретно". Аргументы о том, что американцы и японцы такого рода материалы совершенно свободно публикуют в открытой печати, на них не действовали совершенно.
К примеру, мой шеф где-то услыхал, что в Воронеже разработано устройство для ускоренного термического окисления кремния. А процесс выращивания изолирующего окисла в изопланарной технологии продолжался 18 часов, что было крайне неудобно. Меня послали в Воронеж в командировку. Приехал. Там мне сказали, да было такое, но за ненадобностью этот девайс, который крепился к стандартной дифузионной печи, разобрали. И даже чертежи не сохранились. Но принцип работы я понял. Приехал, в НИИМЭ мне выделили конструктора из макетной мастерской и мы с ним опытный образец этого девайса сварганили. Техпроцесс удалось сократить до приемлемых 7 часов. Потом разработали и изготовили серьезное устройство, на котором уже делали серийную продукцию на заводе.
И только потом выяснилось, что эту штуковину на самом деле разработали в Москве на кафедре технологии МИЭМ, где можно было совершенно свободно взять комплект чертежей. Они были бы счастливы получить внедрение своей разработки в производство. А в Воронеж эта штука попала из МИЭМа.
Мало того. Когда я представил кандидатскую диссертацию, посвященную вопросам совершенствования изопланарной технологии, я специально оформил ее с грифом "ДСП", чтобы обеспечить ей максимально широкое распространение. Авторефераты диссертаций ДСП рассылались в 15 экземплярах, чего как раз хватало для отсылки во все близкие по профилю НИИ. Рефераты ДСП хранились в библиотеках НИИ и были легко доступны желающим ИТР. Авторефераты секретных диссертаций рассылались только в трех экземплярах и хранились в 1-х отделах. Кому захочется тащиться в первый отдел и сидеть над секретной тетрадью, под бдительным оком секретчика. Кстати, все слабые диссертации без научной новизны соискатели старались делать именно секретными, чтобы никто посторонний их не увидел. Так мне, после успешной защиты, закатили строгий выговор с занесением за нарушение режима секретности. Правда, хранился он тоже в первом отделе.
Перетекание информации между смежными предприятиями этой дурацкой секретностью было крайне затруднено. Между тем, для быстрого развития науки и технологии свободный обмен информации между участниками процесса совершенно необходим.
3. Уравниловка в оплате труда инженеров и целых коллективов. У хорошего начальника, такого как мой первый шеф, ДЯГИЛЕВ ВЛАДИМИР НИКОЛАЕВИЧ,светлая ему память, пахали все, даже женщины — инженеры. У слабых начальников, каждый работал в меру своего энтузиазма и сознательности. Один инженер вкалывал, а трое коллег за соседними столами в носу ковыряли. Разница по оплате между ними могла быть процентов 5 — 10. Причем, не обязательно в пользу "пахаря". Он, в силу занятости, не участвовал в комсомольской, профсоюзной и шефской работе, за что терял баллы в социалистическом соревновании, по которым и начислялась квартальная премия. Документы на повышение оклада инженера, которые готовил начальник, тоже визировали партийные, комсомольские и профсоюзные органы, которые не любили уклонистов.
С коллективами лабораторий была та же история. Все зависело от начальника. Если он не умел заинтересовать инженеров работой и организовать их труд, то и весь коллектив от работы отлынивал. Зарплаты инженеров в бездельных лабораториях и "пашущих", практически не отличались. Оклады по тарифу и те же квартальные премии порядка 20 процентов.
Самое важное. Три плохих инженеров не заменят одного хорошего. Туже работу будут делать дольше и сделают ее хуже. Пять хороших инженеров не заменят одного талантливого. Просто потому, что талантливый придумает нечто принципиально новое, а хорошие — не смогут. А зарплата и у плохих, и у хороших и у талантливых была примерно одинаковой. Вот так.
Правда, лично я инженером и мнс-ом хорошо подрабатывал на рацпредложениях и на изобретениях. Если они были с экономическим эффектом в производстве, то они очень неплохо оплачивались.
Ну и само собой нужно было защищаться. После защиты диссертации мнс становился СНС-ом, а его должностной оклад возрастал со 150 рублей до 400 рублей!
В целом, инженеров в НИИ был явный переизбыток. Доходило до того, что рабочие: наладчики и операторы зарабатывали в 2 — 3 раза больше молодых нженеров. Однако, ни один начальник подразделения не хотел сокращать штат. Одного уволишь, кадровики штатную единицу тут же сократят. Потом захочешь взять хорошего спеца, а единицу для него хрен выбьешь.
Вот такие гримасы социалистической действительности.
И тем не менее, мы сокращали разрыв с американцами. Даже несмотря на худшее, чем у них оборудование и менее качественные материалы. За счет чего? А у нас, просто напросто, было больше талантливых инженеров. Знаю о чем говорю. Я внимательно следил на научной периодикой и многих инженеров в Fairchild Semiconductor и AMD знал по фамилиям. Заочно, конечно.
Взлет и падение советской микроэлектроники. Часть 3. Кадры решают все!
Попробуем разобраться, почему же, несмотря на перечисленные выше недостатки: засилье идеологических догм, недостаточность финансирования, уравниловку в оплате труда, гипертрофированную секретность, территориальную размазанность, советская микроэлектроника в конце 80-х, начале 90-х годов приближалась к высшему мировому уровню, полностью обеспечивала потребности оборонного комплекса и народного хозяйства. А вот почему!
Советский, а точнее коммунистический строй СССР сумел обеспечить высочайшую концентрацию интеллектуального потенциала народа на приоритетных направлениях научно-технического развития. По моему мнению, даже концентрация финансовых и материальных ресурсов, была вторичным фактором, хотя, конечно, тоже имела важнейшее значение. Именно это обеспечивало лидерство СССР, наряду с США, в космической, атомной и микроэлектронной областях. Штаты брали финансами и ресурсами, а СССР — интеллектом!
Теперь цитата: " Техника без людей, овладевших техникой, мертва. Техника во главе с людьми, овладевшими техникой, может и должна дать чудеса. ......
Вот почему старый лозунг "техника решает все", являющийся отражением уже пройденного периода, когда у нас был голод в области техники, должен быть теперь заменен новым лозунгом, лозунгом о том, что "кадры решают все".
В этом теперь главное." И. В. Сталин. Из обращения к выпускникам Академии Красной Армии, 4 мая 1935 г.
Отмечу, что я ни в коем случае ни коммунист по убеждениям. Напротив, я антикоммунист с 1972 года, несмотря на все свое октябрятско-пионерско-комсомольское воспитание. В отличие от Путина и всей теперешней "элиты" РФ, членом КПСС никогда не был по принципиальным соображениям. Но, в данном случае Сталин был абсолютно прав. И коммунисты эту сталинскую директиву последовательно провели в жизнь.
Великая октябрьская революция разогрела и "вскипятила" всю, до того инертную, массу русского и других российских народов. В этой массе возникли мощные конвективные потоки, как теперь говорят, заработали "социальные лифты". Социальные катаклизмы гражданской войны со страшной силой перетряхнули все устои и все социальные страты. Всеобщая грамотность, достигнутая в первые пятилетки, позволила крестьянским детям, а затем и их внукам, беспрепятственно получать высшее образование и открыла им доступ в науку и технику.
К примеру, мои родители оба происходили из крестьянских семей, и оба получили высшее образование: мать — педагогическое, отец — военное. А я сам уже работал в самой высокотехнологичной отрасли — микроэлектронике, и достаточно успешно, как мне кажется. Как и многие мои сверстники и однокашники.
В Советском Союзе существовала и действовала отлаженная и прецизионная система поиска, отбора и воспитания интеллектуальной элиты для использования ее на ключевых направлениях научно-технического прогресса. Как говорится, мимо этой системы ни одна "мышь" проскочить не могла, если эта "мышь" была умной.
Во всех школах в 8 -10 классах ежегодно проводились олимпиады по математике, физике и химии. Победители школьных олимпиад направлялись на районные олимпиады, победители районных ехали на областные, а оттуда — на всесоюзные.
Дополнительно, на областных и всесоюзных олимпиадах проводился конкурсный отбор на обучение в физико-математических школах при ведущих университетах страны: Московском, Ленинградском, Новосибирском. Школа при МГУ, знаменитый интернат ?18, работала под патронажем самого академика Колмогорова, новосибирская школа — под патронажем академика Лаврентьева. При многих ведущих вузах работали заочные физ-мат школы для старшеклассников.
Любой способный школьник имел полную возможность поступить в эти же университеты и другие ведущие вузы страны: МФТИ, МИФИ, МВТУ, МАИ и другие. Обучение было бесплатным, с предоставлением общежития и стипендии, достаточной для пропитания.
Научные кафедры этих вузов работали в теснейшем контакте с ведущими НИИ и предприятиями соответствующих отраслей промышленности. Студенты старших курсов и преподаватели совместно и под руководством ведущих сотрудников НИИ участвовали в разработках профильных НИИ.
За время прохождения практики специалисты НИИ имели возможность присмотреться к практикантам, а руководство НИИ имело возможность после окончания института принять на работу наиболее перспективных практикантов, с предоставлением жилья иногородним.
Аналогичная система действовала и для рабочих. Лучших выпускников профильных профессионально-технических училищ брали на ведущие предприятия отраслей "по лимиту". Единственным отличием было то, что молодым инженерам по лимиту предоставляли комнату в коммуналке, а рабочим — койку в общежитии.
Далее молодые специалисты работали в НИИ под руководством опытных наставников. По собственному опыту скажу, что после трех лет работы я стал уже более — менее соображать в своем деле и мог выполнять отдельные самостоятельно работы. После пяти лет практики я уже стал "крутым" спецом и уже сам руководил практикантами и молодыми спецами. Ну, после семи лет работы я стал в своем деле "асом" — кандидатом наук и старшим научным сотрудником. Самостоятельно руководил коллективом ИТР и вел разработку новых оригинальных СБИС.
Именно так на ведущих отраслевых НИИ формировались "научно-технические школы". Путем передачи знаний и опыта от старших к младшим. Именно эти "школы" и были причиной всех успехов советской науки и техники. Причем, научный молодняк работал, как правило, не за деньги, не за карьеру, а из чистого энтузиазма, из интереса к своему делу. А микроэлектроника была исключительно интересным делом, на стыке науки и технологии. Причем, зачастую, технология опережала науку. Бывало, получишь новый совершенно неожиданный результат техпроцесса, а потом уже под него придумываешь научную модель.
Особо отмечу, что материальные стимулы для молодых инженеров и ученых играли второстепенную роль. Основной движущей силой был научный интерес и желание утвердиться в профессиональном статусе, добившись реального значимого результата. Читайте по этому поводу: "Понедельник начинается в субботу" братьев Стругацких. Теперь это может показаться абстрактной фантастикой, но, это было правдой.
Приведу пример из личного опыта. В марте 1984 года меня, уже кандидата наук и старшего научного сотрудника, руководство оторвало от текущих разработок, и выдернуло из НИИ молекулярной электроники на завод Микрон. Там образовался серьезный "прорыв": завод стабильно не выполнял план по микросхемам серии 533 радиационной стойкости 3У (самый высокий уровень радиационной стойкости м/сх.), за что руководство завода и НИИ стабильно получало "люлей" от министра.
Эту самую серию завод без проблем гнал уже 10 лет, но с обычной радиационной стойкостью 1У. Задачу повышения радиационной стойкости руководство оценило как простую, и поручило заводским инженерам, тем более, что они "били себя в грудь пяткой" и говорили, что это им "раз плюнуть". Стандартный техпроцесс они чуть-чуть подкрутили, ужесточили допуски по технологическим процессам и нормы по параметрам компонентов. Получившееся м/сх прошли испытания по стойкости 3У.
Однако, завод стало лихорадить. Из-за ужесточившихся допусков и норм, то одна партия м/сх, то другая "вылетала" за границы допусков и браковалась. С вероятностью процентов двадцать. Старый технологический процесс не обеспечивал такой точности. А поскольку вся номенклатура 533 серии включала в себя порядка 30 разных микросхем, то ежемесячно по 5 — 6 типономиналам м/сх завод не выполнял план. Проблему можно было бы решить увеличением запуска пластин, но свободных мощностей завод не имел.
Вот меня и послали затыкать эту дыру. Все бы ничего. Разработать новый техпроцесс для меня особой проблемы не составляло. Требовалось только время, чтобы разобраться с проблемами и найти способы их решения. Но, руководство завода, разочаровавшись в заводских спецах, повесило на меня и сопровождение стандартных партий серии 533-3У. Отбрыкаться я почему то не сумел, а может, и не оценил сперва сложность опасность этого дела. А потом отказываться уже было "невместно" для моего престижа, как специалиста.
А проклятая стандартная 533-3у безжалостно съедала все мое время. Из-за жестких допусков на параметры процессов, то одна партия на маршруте, то другая вылетала за допуски. Приходилось мчаться на соответствующий технологический участок, проводить замеры параметров пластин, быстро соображать, что делать, можно ли выправить отклонение, готовить соответствующую документацию, согласовывать ее с главным технологом завода и пропускать партию пластин дальше.
В общем, я приходил на завод в начале первой смены, к 8 утра, и уходил в 10-том часу вечера, взмыленный, покачиваясь от усталости.
Короче, героическими усилиями мне удалось снизить потери до 1-3 партий пластин в месяц. Но, по этим типономиналам завод план все равно проваливал, за что руководство "пинало" уже меня.
А попутно с этой беготней и суетой я отрабатывал совершенно новый для завода техпроцесс стойкости 3У. Не буду утомлять читателя подробностями, но он включал в себя три новых для завода отдельных технологических процесса. Отработал все за 4 месяца.
В августе я перевел всю номенклатуру серии 533-3У на новый техпроцесс. И в октябре завод впервые выполнил весь план по этой серии. Правда у меня на левой руке к этому времени вскочила какая-то большая "блямба" весьма нехорошего вида. Врачи в поликлинике при виде "блямбы" развели руками. А опытная медсестра в здравпункте завода сказала: "Это у тебя парень, нервное — псориаз".
Я взял две недели отпуска и поехал с друзьями — альпинистами в Крым на скалы. Блямба после этого пропала бесследно. Руководство завода и НИИ меня похвалило. А главный военпред, полковник, даже сумел выбить у директора завода мне премию — целых 120 рублей! За полгода бешенной работы, фактически на износ, целых 120 рублей!! Могли бы оставить их себе. На Памиро-Алае я за две недели отпуска набирал мумия на 5000 рублей.
Но, зато я сам себя зауважал. И заводские меня тоже зауважали.
Это я к тому, что материальный стимул для нас особой роли не играл.
Что же требуется для развития и существования действующей "научно-технической школы"?
1. Действующая в масштабах государства система отбора талантливых подростков.
2. Заинтересованность подростков в интенсивном обучении по специальности. В 60 — 70 годы все поголовно толковые подростки интересовались космосом, авиамоделизмом, радиотехникой и другими техническими дисциплинами.
3. Обучение их в вузах, имеющих тесную связь с действующими НИИ, занимающимися современными научными разработками.
4. Стажировка молодых специалистов в течение 5 -7 лет в НИИ под руководством опытных специалистов в процессе реальных разработок и исследований.
5. Постоянная передача опыта от действующих ученых и специалистов молодым. Преемственность поколений ученых и специалистов.
6. Совмещение опытными специалистами НИИ преподавания специальных дисциплин в вузах с реальными разработками и исследованиями в НИИ.
Отсутствие любого из этих звеньев приводит к деградации и разрушению научно-технических школ.
В современной РФ все они, к сожалению, или разрушены, или деградировали. Процесс этот стартовал с "реформами" Ельцина — Гайдара, и продолжается до сих пор.
Подросткам стало престижно идти в менагеры, спецслужбы, бандиты, а девушкам, извините в содержанки или проститутки.
В 90-е специалисты из бедствующих нищих НИИ ушли в другие сферы или уехали "за бугор".
А тех, молодых, кто все же, вопреки всему, приходит в НИИ работать, учить некому.
"АБЗАЦ".
Микроэлектроника РФ. Тень былого величия.
Практически вся промышленность, доставшаяся РФ в наследство от бывшей РСФСР прихватизирована и успешно угроблена "эффективными менеджерами", приведенными к власти Ельциным, Гайдаром, Чубайсом и прочими "либералами". Эти же самые господа остаются у власти и по сей день.
Единственные полгода, за прошедшие с 1992 года без малого три десятилетия, когда промышленность успешно развивалась — это первые шесть месяцев 1999 года, когда премьером правительства, после "киндерсюрприза" стал Е. М. Примаков, светлая ему память. За это самое его и снял ЕБН, да не забывают его черти в аду с боку на бок на сковородке переворачивать.
То ли алкаш Борька забоялся быстро растущего авторитета Евгения Максимовича, то ли ему из-за океана такое ЦУ дали.
Во все остальные времена политика властей РФ направлялась исключительно на удушение отечественного производства. За исключением сырьевого экспорта, конечно.
Когда-то мощная электронная промышленность СССР, включая и микроэлектронику, не избежала общей участи.
СССР был вторым в мире после США производителем электроники. В те времена вся военная и большая часть гражданской техники укомплектовывалась электроникой, произведенной исключительно на отечественных предприятиях.
В военную аппаратуру импортные компоненты не ставились в принципе. За этим в НИИ и на заводах бдительно следили военпреды. Технологическое отставание СССР от США в микроэлектронике исчислялось 3 — 4 годами.
Сейчас РФ обеспечивает менее 1% мирового производства электроники. Осмотрим беглым взглядом этот "пейзаж после битвы".
Для начала процитирую недавнее высказывание вице-премьера правительства РФ Ю. Борисова: "С 90-х годов фактически начался закат того, что было наработано в Советском Союзе. Я думаю, что причина — бездумная приватизация в первую очередь, когда активы оказались в частных руках. Сегодня глупо говорить, что в России существует серийное микроэлектронное производство. Мы даже отсутствуем в статистике мировой".
Надо же, какая самокритичность!
Как бывший когда-то в советские времена неплохой разработчик СБИС, ради любопытства, я порылся в инете и сравнил теперешний уровень российской микроэлектроники с зарубежным. Изыскания показали следующее.
Известно, что микроэлектроника является в самом прямом смысле эпицентром технологического прогресса, сосредоточием самых передовых достижений в физике полупроводников, физике твердого тела, химии, материаловедении, приборостроении, станкостроении и массе других научных и производственных отраслей.
Скорость этого прогресса такова, что каждые пять лет минимальный размер элемента в СБИС уменьшается в два раза, что вызывает необходимость и одновременно является следствием полного изменения технологического процесса изготовления СБИС и полной смены всего парка технологического и контрольного оборудования. Причем оборудование при этом становится на порядок сложней и дороже.
На Западе и Востоке ведущие фирмы изготовители СБИС, такие как Intel, Samsung, TSMC уже работают в техпроцессе с минимальным размером 10 нм и приступают к освоению техпроцесса 7 нм. Количество транзисторов на кристалле при этом приближается к астрономической цифре 50 миллиардов штук.
А что в России?
Лучшая микроэлектронная фирма РФ — "НИИМЭ и Микрон" в Зеленограде, на которой я когда-то трудился. Освоено производство с минимальным размером 65 нм, что соответствует западному уровню 2004 года. Зеленоградский завод "Ангстрем" — 600 нм. Еще один завод, уцелевший на постсоветском пространстве, минский "Интеграл" имеет техпроцесс на 350 нм. Причем, следует со всей пролетарской откровенностью заметить, что эти, в какой-то степени относительно современные техпроцессы, осуществляются полностью на импортном оборудовании.
Кроме того, эти заводы имеют в производстве техпроцессы с минимальными размерами 1,5 — 2 мкм, очевидно, оставшиеся еще с советских времен. И это все!
Производство оборудования для нужд микроэлектроники в РФ практически полностью отсутствует. Подозреваю, что и производство сверхчистых веществ, необходимых для микроэлектроники тоже отсутствует. Все закупается за бугром.
Таким образом, делаем выводы.
На российских заводах на импортном оборудовании отставание от Запада в микроэлектронике составляет 16 лет и более. На отечественном оборудовании — отставание более 30 лет!
Это еще цветочки. Ягодки будут сейчас. Несколько лет назад был я в Зеленограде на похоронах своего первого шефа, Дягилева Владимира Николаевича, светлая ему память! Пообщался со специалистами, до сих пор работающими на Микроне. Выяснил, что импортная технологическая линия на размер 65 нм, поставлена Микрону с Запада не просто так, а с важной оговоркой: только для продукции гражданского назначения. Производить на ней микросхемы военного или двойного назначения категорически запрещено! Делают на ней чипы для банковских карт, проездных билетов, паспортов, товарных меток и прочую полезную в хозяйстве мелочь.
Поинтересовался у них: "А как же вы делаете современную аппаратуру военного назначения? В ней ведь серьезные мозги нужны!"
На что получил ответ: "Центральный процессор и память ставим импортные, а все обрамление делаем на 533 серии". Вот тут я чуть не упал со стула. 533 серия — это дремучие СИСы разработки 70-х годов! Ничего более современного за 50 лет не сделали! Это как понять? В мой ум это не входит никак! Уж переделать за 30 прошедших лет эту серию на 1,5 мкм и повысить на порядок степень интеграции можно было как два пальца обмочить.
Мало того. Центральная память и мозги должны быть в военном исполнении, с высокой надежностью, с высокой радиационной стойкостью и с широким температурным диапазоном. А кто такие продаст потенциальному противнику? Если только это не китайский ширпотреб.
Полный абзац!
На днях правительство РФ меня порадовало:
"Минпромторг разработал проект стратегии развития электронной промышленности России до аж 2030 года. Стратегия предполагает рост отечественного производства более чем в 2,5 раза за данный период. Также ожидается увеличение объёма гражданского сектора электроники с 940 млн до 4,6 млрд рублей. Доля отечественной компонентной базы в микроэлектронике, по замыслу Минпромторга, должна вырасти с 20 до 80%."
О!!! Доля отечественной элементной базы в составе производимого в РФ оборудования оказывается, составляет целых 20%. Ну точно, как в СухомСуперджете! Да только, это в основном простейшие дискретные компоненты. Ну, наверно, еще печатные платы и проволочки, хотя и не факт.
Свежо придание, да верится с трудом! Помнится, нам во всеуслышание сам ВВП обещал догнать и перегнать Португалию по среднедушевому ВВП. Срок давно прошел. Еще помнится, двенадцать лет назад правящая партия обещала нам в текущем году среднюю зарплату 2700$ в месяц, а каждой семье отдельную квартиру в 100 кв. метров. Ждем! Год еще не кончился!
А если серьезно, то для подъема российской микроэлектроники необходим подъем всего комплекса высокотехнологичных отраслей промышленности и науки. А для этого нужно всего лишь, чтобы российская "элита" заработанные страной деньги вкладывала в развитие производства, а не в свои яхты размером с крейсер, в бизнес-джеты любовниц, в виллы во Флориде, в поместья в Англии и на счета в Швейцарии.
Вы в это верите? Я — нет!
|
↓ Содержание ↓
↑ Свернуть ↑
|
